Главная > Физика > Физика дифракции
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

12.4.3. Анализ диффузного рассеяния

Возможность получения полезной информации о дефектах в кристалле, разупорядочении или возмущении на основе диффузного рассеяния на электронограммах рассматривалась несколькими авторами. В этой области существуют очевидные ограничения в связи с образованием кикучи-линий в любом распределении диффузного рассеяния, однако на практике эти эффекты можно в значительной степени устранить, проводя усреднение по малой области углов падения (или кристаллических ориентаций), поскольку кикучи-линии очень сильно зависят от ориентации. Начальные расчеты проведены Фишером [136] в предположении, что интенсивность диффузного рассеяния на электронограммах от сплавов обусловленную ближним порядком, можно связать с интенсивностью кинематического рассеяния с помощью плавно изменяющегося «динамического множителя». Однако было обнаружено, что модификацию диффузного рассеяния «размерным эффектом» от таких сплавов можно ослабить сильными двумерными динамическими взаимодействиями вблизи главных ориентаций (см. гл. 16). Все это, а также изучение теплового диффузного рассеяния плюс соображения, основанные на приближениях фазовой решетки, привели Каули [85а, 85б] к мысли, что учет динамических эффектов может оказаться полезным, поскольку он позволит

выделить различные источники диффузного рассеяния. Сильное динамическое взаимодействие подавляет диффузное рассеяние, связанное со смещениями атомов, но не затрагивает диффузного рассеяния, связанного с атомными замещениями (ближний порядок, вакансии, замещающие примеси и т.д.).

Последующий анализ динамического диффузного рассеяния, проведенный Йённесом и Хёйером [160], дал основу для более полной интерпретации экспериментальных наблюдений, в особенности для относительно толстых кристаллов, когда в выражениях для интенсивности можно пренебречь членами, осциллирующими с ростом толщины.

Использование такого анализа для изучения распределения дефектов в нестехиометрическом оксиде ванадия продемонстрировали Андерсон, Йённес и Тафто [5].

Относительно простое обобщение метода Такаги [367], в котором использована двуволновая динамическая теория, Окабе и др. [326] применили для определения диффузного рассеяния при дифракции электронов, связанной с зонами Гинье-Престона, с несомненным успехом.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление